西門子G120C變頻器PROFIBUSDP版本系列介紹

西門子G120C變頻器PROFIBUSDP版本系列

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度。進(jìn)而可以使得集成的兩個(gè)電感的電流分布均勻，確保電源穩(wěn)定運(yùn)行并提高電源模塊的效率。上述實(shí)施例中講到的繞線柱的面積和第二繞線柱的面積設(shè)定為相等，氣隙的高度等于第二氣隙的高度，以及電感的感量等于第二電感的感量，這里的“相等”和“等于”并非的相等，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，有少許偏差也在本案范圍內(nèi)，比如20%的偏差，較優(yōu)選的，可有10%的偏差。

西門子CPU414F-3PN/DP中央處理器按照所述發(fā)明的裝置的技術(shù)效果，在于如下各點(diǎn)：1.主開(kāi)關(guān)在負(fù)載電流變化時(shí)柔和的開(kāi)關(guān)操作的條件，由新建立的判據(jù)提供。2.主開(kāi)關(guān)中動(dòng)態(tài)損耗的降低，由于附加的電容器的連接，由這些開(kāi)關(guān)上的電壓邊緣的相對(duì)慢的改變，在固定的階段上被提供。3.由于在這些開(kāi)關(guān)的柔和斷開(kāi)階段上同時(shí)使用附加的電容器，使在這些開(kāi)關(guān)的反向二極管中的電流振幅降低，提供了在主開(kāi)關(guān)中另外的傳導(dǎo)性損耗的降低。這里的“相等”和“等于”并非的相等，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，有少許偏差也在本案范圍內(nèi)，比如20%的偏差，較優(yōu)選的，可有10%的偏差，更優(yōu)的，可有5%的偏差。上述實(shí)施例中均以PCB繞組板及特定的下磁芯結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行了解釋，但是顯然對(duì)于浮空式的電感，本申請(qǐng)的磁芯結(jié)構(gòu)并不做限定，可以為任何形狀的磁芯，可以為集成式的電感結(jié)構(gòu)，也可以為單個(gè)電感的磁芯結(jié)構(gòu)，只要連接PCB繞組板上的至少一引腳向下延伸超過(guò)下磁芯的底表面，以使電感與待連接的主板之間形成一容置空間即可。對(duì)于磁性元件本申請(qǐng)的繞組也不限定為PCB繞組板，可以使用，例如litz線，預(yù)制銅線圈或銅條等的繞組。上磁芯可以采用和下磁芯對(duì)稱的磁芯結(jié)構(gòu)。

西門子CPU414F-3PN/DP中央處理器4.在使主開(kāi)關(guān)進(jìn)行開(kāi)關(guān)操作時(shí)高頻噪聲的消除，是通過(guò)降低在這些晶體管的輸出電容器和附加電容器連接處的多諧振電路元件之間的諧振過(guò)程的諧振頻率提供的。按照所述發(fā)明的目的，該技術(shù)效果的獲得，是由于這樣的事實(shí)，一種電源模塊包括：和第二開(kāi)關(guān)，它們的每一個(gè)有類似的逆并聯(lián)二極管；這樣，在橫向和縱向上均能夠穩(wěn)定支撐上磁芯110。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，下磁芯130中，公共磁柱136位于沿下磁芯130的沿縱向的一個(gè)側(cè)端，繞線柱132和第二繞線柱134位于沿下磁芯130的縱向的另一個(gè)側(cè)端，且所述下磁芯130關(guān)于縱向（圖16中的B方向和圖20中的C方向）呈軸對(duì)稱。圖17-圖18示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的電感的示意圖。為了簡(jiǎn)潔，與上述實(shí)施例相同的描述將被省略，在此僅提供與上述實(shí)施例不同的相關(guān)部分的描述。該實(shí)施例與上述實(shí)施例的不同之處在于下磁芯130的結(jié)構(gòu)不同，具體地，參照?qǐng)D19和圖20所示，該實(shí)施例中的公共磁柱136呈梯形與長(zhǎng)方形組合的形狀，且該公共磁柱136的面積形成為大于繞線柱132或第二繞線柱134的面積。